Hochauflösendes Elementverteilungsbild einer Halbleiterstruktur mit STEM-EDS im REM (T-SEM)

Die Messung von Elementarverteilungsbildern mit röntgenbasierten Methoden ist nicht immer einfach interpretierbar. Die im Nanometerbereich nötige Ortsauflösung sowie Röntgen-Linien-Überlappungen sind typische Herausforderungen bei der Untersuchung von Halbleitermaterialien. STEM im REM (T-SEM) kann manchmal teure und zeitaufwendige TEM-EDS ersetzen. Das vorliegende Beispiel zeigt eine hochauflösendes Elementverteilungsbild einer Halbleiterstruktur, gemessen im REM unter Nutzung des ringförmigen XFlash^® FlatQUAD Detektors mit 4 SDD Quadranten, die radial symmetrisch zwischen der Probe und dem REM-Polschuh angeordnet sind. Die Daten wurden bei 20 kV und mit 220 pA Strahlstrom aufgenommen. Die hohe Empfindlichkeit des XFlash^® FlatQUAD Detektors ermöglicht im REM eine Ortsauflösung von unter 10 nm (siehe Abb. 2). Trotz stark überlappender Elementlinien lassen sich Silizium (Si) und Wolfram (W) im Elementverteilungsbild, dank der in Brukers ESPRIT-Software implementierten Peakentfaltungsmodelle, gut unterscheiden (siehe Abb. 1).