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Patrón bajo demanda de transistores pentacenos nanoestructurados mediante el escaneo de litografía térmica

9 de noviembre de 2012
Autores

Joseph E. Shaw Paul N. Stavrinou, y Thomas D. Anthopoulos

Abstracto

La litografía de exploración térmica se utiliza para modelar estructuras pentacenos semicorribbon con resolución espacial ultra alta sobre sustratos arbitrarios en el aire. El método permite controlar la dirección de crecimiento del cristal pentaceno y la distribución del tamaño del dominio. Mediante la combinación de estas estructuras de nanorribbon cuasi-una dimensión con electrodos conductores y un adecuado dieléctrico de compuerta, se demuestran transistores funcionales de canal p.