X-ray Metrology, wafer

Difracción de rayos X de alta resolución (HRXRD)

La técnica

HRXRD obtiene su alta resolución utilizando ópticas de haz paralelo, logradas gracias al espejo de Goebel, monocromadores, rendijas de Soller y cristales analizadores.

Esta técnica se utiliza para caracterizar el espesor, la estructura cristalográfica, la composición y el grado de tensión/relajación en películas finas con crecimiento epitaxial sobre sustratos, como SiGe y GaN en obleas. Los haces focalizados se utilizan generalmente para analizar las obleas sin estructuras. También es posible utilizar una micro fuente puntual y focalizada con un tamaño de haz hasta 50 µm a 50 µm para el análisis preciso sobre obleas con estructuras.

X-ray Metrology Study of the SiGe Epitaxial Layer on a Patterned Wafer
(Informe de laboratorio en PDF)