X-ray Metrology, wafer

Diffraction haute résolution des rayons X (HRXRD)

La technique

HRXRD détient sa haute résolution en utilisant des optiques de faisceaux parallèles suivant: un miroir de Goebel, des monochromateurs, des fentes de Soller et des cristaux analyseurs.

Cette technique est employée pour caractériser l'épaisseur, la structure cristallographique, la composition et le niveau de contrainte/relaxation dans les couches formés épitaxialement tels que SiGe et GaN sur des substrats de silicium. Les faisceaux focalisés linéairement sont habituellement utilisés pour analyser les plaquettes non structurées. Il est également possible d'utiliser une micro-source ponctuelle et focalisée avec une taille de faisceau allant jusqu'à 50 µm x 50 µm pour des analyses précises sur les plaquettes structurées.

X-ray Metrology Study of the SiGe Epitaxial Layer on a Patterned Wafer
(Rapport de laboratoire PDF)