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再配線層(RDL)の特徴の3Dイメージ(イメージ0.44mm)

集積回路(IC)チップパッケージング技術は急速に進歩しています。スマートフォン端末がフォームファクタを引き下げる一方で、クラウドコンピューティングにより、処理速度などの性能要件が引き上げられています。同様に、半導体業界も、生産力を高め、コストを削減するための方法を模索しています。ファンアウト型ウエハレベルパッケージ(FO-WLP)、ファンイン型ウエハレベルチップスケールパッケージ(WLCSP)、フリップチップ、その他の2.5Dおよび3Dパッケージ技術などの多くのウエハレベルパッケージング(WLP)スキームのプロセス開発やプロセス管理では、従来の2D計測はもはや適切ではありません。

 

 

白色干渉計をベースにしたブルカーのContour 3D光計測システムなら、最先端のICパッケージングアプリケーションに求められる重要な3D幾何学的測定が実現します。このシステムは、以下の特徴を備えています。

 

  •   繰り返し測定および再現測定に対応する比類のないシステム性能および安定性
  •   最高のスループットを実現する自動高速データ取得および処理
  • フラットなシリコンにも曲がったシリコンにも、eWLBウエハにも対応できる汎用的なウエハハンドリング
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アンダーバンプメタル(UBM)の特徴の3Dイメージ (イメージ1.24mm)

以下は、Contourシステムの測定機能の一例です。

 

  • 再配線層(RDL)の特性測定
  • ポリイミドの膜厚および表面粗さ
  • アンダーバンプメタル(UBM)クリティカルディメンション
  • シリコン貫通電極(TSV)深さおよびトップCD
  • マイクロバンプ/銅ピラー高さ、直径、ピッチ

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