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In Sight3D-CD-metrology

CD計測

デバイスにおけるクリティカルディメンション(CD、critical dimension)の管理は、「critical(重要な)」というその名が示すとおり、ナノエレクトロニクス、MEMS、オプトエレクトロニクスなどの幅広いデバイスの製造プロセスにおける重要な要件です。

デバイスにおけるクリティカルディメンション(CD、critical dimension)の管理は、「critical(重要な)」というその名が示すとおり、ナノエレクトロニクス、MEMS、オプトエレクトロニクスなどの幅広いデバイスの製造プロセスにおける重要な要件です。ラインのCD管理は、デバイス性能(トランジスタ・スピード、MEMS効率、光電子伝送など)に直接関係する重要な業務です。3D AFMは、CDプロセス管理に役立つユニークかつ効果的なテクニックで、TEMレベルの側壁情報、ライン幅およびエッジの変動に関するSEMレベルの情報などが得られます。3D AFMによる計測では、サンプルが破壊されず、前処理も不要です。そのため、プロセス前後のラインおよび抵抗の計測や、エッチング後のプロファイル比較などが可能です。

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Depth metrology using automated AFMs

深さ計測

多くの製造プロセスでは、製品の深さや高さの管理が不可欠です。

多くの製造プロセスでは、製品の深さや高さの管理が不可欠です。そうした管理は、半導体エッチングプロセスでは特に重要です。レイヤーによっては、1ナノメートルの変動の影響により、回路のオープン/ショート、高度なリーク電流、接触ロスといった深刻な問題が生じることがあります。原子Z分解能を備えたAFMは、デバイスを大量生産する最先端の半導体メーカーが必要とするプロセスデータの取得に最適です。

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Roughness measurement with automated AFMs

ラフネス

半導体トランジスター製造における高誘電率メタルゲートや、低誘電率多孔質誘電体材料といった新たな材料および成膜プロセスの導入により、成膜されるフィルムや材料の品質に関する情報が求められるようになっています。

半導体トランジスター製造における高誘電率メタルゲートや、低誘電率多孔質誘電体材料といった新たな材料および成膜プロセスの導入により、製膜されるフィルムや材料の品質に関する情報が求められるようになっています。表面のラフネス特性評価は、R&Dにおいて詳細な知見が得られる優れた手法です。また、プロセスが製造段階に発展した際の品質管理にも対応できます。ブルカーの自動AFMを使えば、150mm、200mm、300mm、450mmまでのウェハーのインラインラフネスデータが得られます。このテクニックは、半導体およびLEDメーカーに納入される基板の品質測定にも使用可能です。

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Defect review application with automated AFM

欠陥検査

従来の検査システムでは、欠陥の位置に関する情報しか得られません。

従来の検査システムでは、欠陥の位置に関する情報しか得られません。位置が特定されたら、検査用のテクニックを用いて、サイズ、形状、組成などの特性を測定する必要があります。ブルカーの自動AFMを使えば、欠陥が判明している位置でAFMイメージを自動的に取得することで、欠陥の3Dプロファイルが得られます。この情報を用いれば、欠陥の修復や、サイズおよび形状などによる欠陥原因の特定が可能です。ブルカーの自動AFMシステムは、欠陥ファイルからの直接的なレシピ作成に対応しているため、生産性が向上します。

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