X-ray Metrology, wafer

高分解能X線回折 (High Resolution X-ray Diffraction: HRXRD)

技術的な特長

高分解能XRD (HRXRD) は、Göbel多層膜ミラー、チャネルカットモノクロメーター、ソラースリット、アナライザー結晶などにより、高度に平行化されたX線を用いて測定が行われます。

この技術は、半導体ウェハ基板上のSiGeやGaNなどのエピタキシャル成長層の膜厚、結晶構造、組成および歪み/緩和の程度を評価する目的で使用されます。ラインビームは、通常、パターンのないブランケットウェハを分析するために使用されます。パターン付きウェハ上の精密な分析のために、50μm×50μmまでのスポットサイズを有する微小点焦点X線源を選択することもできます。

X-ray Metrology Study of the SiGe Epitaxial Layer on a Patterned Wafer
(PDF lab report)