El avance de la electrónica a nanoescala se ha visto limitado por los desafíos de disipación de energía durante más de una década. Estas limitaciones podrían ser particularmente graves para los semiconductores bidimensionales (2D) integrados con sustratos flexibles o procesadores multicapa, siendo ambos cuellos de botella térmicos críticos. Para arrojar luz sobre aspectos fundamentales de este problema, aquí informamos de la primera medición directa de la temperatura resuelta espacialmente en el funcionamiento de los transistores Monocapa MoS2 monocapa 2D. Utilizando la termometría Raman, obtenemos simultáneamente mapas de temperatura del canal del dispositivo y su sustrato. Esta medición diferencial revela que la conductancia de los límites térmicos de la interfaz MoS2 con SiO2 (14 ± 4 MW m-2 K-1) es una magnitud de orden mayor de lo que se pensaba, pero cerca del extremo inferior de las interfaces sólidas conocidas. Nuestro estudio también revela una visión inesperada de las incoherencias de los transistores MoS2 (pequeñas regiones bicacas) que no causan un autocalentamiento significativo, lo que sugiere que dichos semiconductores son menos sensibles a la inhomogeneidad de lo esperado. Estos resultados proporcionan información clave sobre la disipación de energía de semiconductores 2D y allanan el camino para el diseño futuro de la electrónica 2D de bajo consumo.