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Fotodetectores de alta y baja tensión de conducción basados en perovskitas de triólida organodada

21 de enero de 2015
Autores

Rui Dong Yanjun Fang Jungseok Chae Jun Dai Zhengguo Xiao Qingfeng Dong Yongbo Yuan Andrea Centrone Xiao Cheng Zeng, y Jinsong Huang

Abstracto

Los fotodetectores de perovskita de triovskida organometálico procesados por solución muestran una alta ganancia fotoconductora de más de 400 en todo el rango UV a NIR a un sesgo muy bajo de 1 V. Las trampas de carga causadas por grandes concentraciones de Pb2+ cationes en la superficie superior de la película de perovskita son fundamentales para lograr una alta ganancia en estos dispositivos a través de un mecanismo de inyección de electrones inducido por orificios atrapados.