Asignación de resolución ultra alta de un microchip de RAM semiconductor mediante TEM-EDS

El mapeo de distribución elemental de microchips puede ser un desafío con métodos basados en rayos X. La resolución espacial a nanoescala y las superposiciones de picos de rayos X son desafíos comunes al investigar materiales semiconductores. El ejemplo actual muestra un mapa EDS de alta resolución de un microchip RAM adquirido con TEM utilizando un detetcor EDS^{XFlash ®} de menos de 20 kV y 220 pA. La alta sensibilidad del detector de^® XFlash permite lograr una resolución de mapa lateral superior a 10 nm (ver Fig. 2) con TEM. A pesar de los picos de rayos X fuertemente superpuestos, el silicio (Si) y el tungsteno (W) pueden distinguirse bien en el mapa gracias a los modelos de desconvolución de pico implementados en el software ESPRIT de Bruker (véase la Fig. 1).

1: Mapa de distribución elemental de un microchip RAM y espectros de área extraídos que demuestran la desconvolución exitosa de Si y W

2: Resultados de una medición de escaneo de línea extraída del mapa en la Fig. 1: Revela la variación en las distribuciones de elementos a lo largo del perfil, con una resolución lateral de 10 nm.