Wafer Level Packaging

Failure Analysis

Failure Analysis

Failure Analysis

Failure analysis is an indispensable part of production control required in manufacturing semiconductor materials. Depending on the material and application, failure analysis can be divided into electrical, chemical, and mechanical tests, to investigate the root cause of a product or material failure.

SEM/TEM-based Solutions

SEM/TEM-based Solutions

Quantitative EDS in STEM combined with individual sample preparation on the component level (FIB) provides the means to identify and study defects of the internal structure of semiconductor devices.

Application Examples

Overview of the selected microprocessor: micro-XRF map acquired with M4 TORNADO.

Microstructure characterisation of a microprocessor wire bonding with EBSD

Ball bonding is a type of wire bonding, commonly used for electrical interconnections in semiconductor devices.
Imagen de campo oscuro anular de ángulo alto de una estructura de interconexión

Composición química de interconexiones de semiconductores

La espectroscopia de rayos X dispersiva de energía estándar (EDS o EDX) utilizando áreas detectoras de 30 mm2 en microscopios electrónicos de transmisión de barrido estándar (STEM) puede entregar mapeos de elementos con resolución de nm en pocos minutos. La condición es que el cabezal del detector es lo suficientemente pequeño (en diseño de línea delgada) para acercarse lo más posible a la muestra para (ángulo sólido alto) y tan alto por encima de la muestra (para un ángulo de despegue alto). Este último ayuda a evitar efectos de sombra y absorción.
FinFET_Fig1_HAADF-EDS-Quant

Detectores EDS de ángulo de gran colección para STEM de alta gama en la investigación de materiales

Los detectores EDS individuales para microscopios electrónicos de transmisión deben cumplir restricciones geométricas muy específicas. Un gran ángulo sólido para la recolección de rayos X no es suficiente. El alto ángulo de despegue, una forma de colimador adecuada o una cubierta de pieza de poste y la geometría adaptada del soporte de la muestra son vitales para el análisis exitoso de EDS y ayudan a mantener bajo control el sombreado y los picos del sistema. Una gran área de detector ovalado puede apoyar la optimización de todos estos parámetros para ciertas situaciones.

Micro-XRF

Micro-XRF

Allthough Bragg peaks are usually considered as hampering artefacts in micro-XRF, they are seen in spectra and thus can be visualized in XRF maps. Bruker's micro-XRF instruments enable the visualization of the appearance, disappearance or shift of such Bragg peaks with rapid large-area mapping. Revealing changes in the crystalline orientation or structure.