Resolución de superposiciones de picos en Silicide de tantalio de Semiconductor

Sección de espectro de rayos X para silicida de tantalio en la región de energía de 1.6 - 1.9 keV que muestra la alta resolución espectral de WDS en comparación con EDS

El silicido de tantalio se utiliza para recubrimientos resistentes a la oxidación o a la temperatura, en microelectrónica y óptica. El silicida de tantalio también puede ocurrir como fase refractaria en materiales semiconductores como obleas Si.

Con el fin de lograr una alta resolución espacial durante el control de calidad, los análisis deben realizarse a bajas tensiones de aceleración, complicando la identificación de fases menores. A bajas tensiones de aceleración, sólo se generan las líneas de energía de la serie Ta M que se superponen severamente con la línea de sustrato Si K.

Los picos EDS resultantes de los elementos primarios se amplían ligeramente y enmascaran la presencia del segundo elemento. En comparación, elementos como Ta se identifican con confianza utilizando QUANTAX WDS debido a su resolución máxima superior.