解决硅化钽半导体的峰重叠
1.6-1.9 keV能量区域的钽硅化物的X射线光谱。与EDS（红色宽峰）相比，WDS的高能量分辨率让Ta 和Si 的谱峰完美分离。
钽硅化物作为氧化或耐温涂层材料，被广泛的应用于微电子和光学器件。在半导体材料（如硅片）中，钽硅化物也常常充当耐火材料。
为了在质量控制中实现高空间分辨率，必须以低加速电压对材料进行分析，而这个前提常常让次要物相的识别变得困难。在低加速电压下，样品中只产生Ta M 线系，而Ta 的M 线系会与基板 Si Kα 线系谱峰发生严重重叠。
最终我们得到的 EDS 峰值相较主要元素的理论峰值略有变宽，并掩盖了第二个元素的存在。相比之下，使用 QUANTAX WDS 可以成功剥离Ta 元素，因为WDS相比EDS的分辨率更为优越。