Identificación elemental en materiales de microchips semiconductores

El material cerámico conductor eléctrico silicida de tungsteno se utiliza en microelectrónica como microchips. El silicido de tungsteno también puede ocurrir como una fase refractaria en materiales semiconductores, como las obleas Si.

Con el fin de lograr una alta resolución espacial en el micro y nano nivel durante el control de calidad, los análisis deben llevarse a cabo a bajas tensiones de aceleración, complicando la identificación de estas fases. Sólo las líneas de energía de la serie M de tungsteno que se superponen severamente con la línea de sustrato Si K se generan a tensiones de baja aceleración.

Los picos EDS resultantes de los elementos primarios se amplían ligeramente y enmascaran la presencia de la segunda fase. En contraste con eso, elementos como W se identifican con confianza utilizando QUANTAX WDS debido a su resolución espectral superior.

Mapa de distribución de elementos de rayos X para Si y W adquirido en un microchip electrónico de un SDD
Sección de espectro de rayos X para silicida de tungsteno en la región de energía de 1.6 - 2.0 keV que muestra la alta resolución espectral de WDS