반도체 마이크로칩 재료의 원소 식별
전기 전도성 세라믹 재료 텅스텐 실리히드는 마이크로 칩과 같은 마이크로 일렉트로닉스에 사용됩니다. 텅스텐 실리드도 시 웨이퍼와 같은 반도체 재료의 내화 상으로 발생할 수 있습니다.
품질 관리 중 마이크로 및 나노 수준에서 높은 공간 해상도를 달성하기 위해서는 저가속 전압에서 분석이 수행되어 이러한 단계의 식별을 복잡하게 만듭니다. 기판 Si Kα 라인과 심각하게 겹치는 텅스텐 M 시리즈 에너지 라인만이 저가속 전압에서 생성됩니다.
기본 요소의 결과EDS 피크는 약간 넓어지고 두 번째 단계의 존재를 마스킹합니다. 이와 는 대조적으로 W와 같은 요소는 우수한 스펙트럼 해상도로 인해 QUANTAX WDS를 사용하여 자신있게 식별됩니다.
SDD의 전자 마이크로칩에서 획득한 Si 및 W용 X선 소자 분포 지도
WDS의 높은 스펙트럼 해상도를 보여주는 1.6 - 2.0 keV의 에너지 영역에서 텅스텐 실리드용 X 선 스펙트럼 섹션