扫描电子显微镜(SEM)的成像质量取决于被测材料的导电性能,样品表面导电性越好,电镜图像质量越高。工程、生命科学、材料科学、司法鉴定等诸多领域均常需对表面导电率低的材料开展 SEM 形貌观测与EDS分析。针对这类绝缘试样,行业普遍采用低真空 SEM 成像模式,以加快样品表面电荷消散。但有时会避免采用低真空成像模式,原因包括:(a)某些扫描电子显微镜未配备低真空成像模式;(b)技术限制;(c)电子束畸变和偏移问题;以及(d)数据噪声较高且X射线荧光产额较弱。若要对绝缘材料开展亚微米级元素分布分析,高真空 SEM 成像条件是必不可少的。
本研究对电缆试样横截面开展表征分析。扫描电子显微镜图像(图1a)显示,左下角为由多根绞合铜(Cu)线组成的内芯。一层绝缘层包裹着内芯铜线,使其与第二层铜线实现电气隔离。最外层的护套层完全包裹了内层的三层结构,提供了机械强度、化学稳定性和阻燃性。
图1b为电缆各层的元素面分布图。图中铜导线以品红色显示;内层高分子绝缘层主要含碳(C)、氧(O)元素,将内芯铜导线与第二层铜导线实现电性隔离。绝缘层不导电,由于表面电荷积累而显得更亮。最外层护套呈蓝色,氯(Cl)元素含量极高,说明该护套材料可能为氯磺化聚乙烯,这是电缆护套的常用材料。护套中分布有亚微米至数微米尺寸的氧化镁(MgO)颗粒,可提升护套耐高温与阻燃性能(图 2)。
第二层中单根铝(Al)导线的存在可能具备多重作用:降低生产成本、区分传输信号,或作为牺牲型电偶阳极,用于监测护套层的完整状态。
XFlash® FlatQUAD 能谱探测器采用环形四元式设计,可对深沟槽以及垂直结构侧壁开展元素检测。借助该探测器,本研究完成了铜导线垂直侧壁上薄锡(Sn)镀层的元素面扫表征。锡镀层能够提升导电性能,并长期保护铜基体,避免铜发生硫化及氧化腐蚀。
为了尽量减少绝缘层的强荷电效应,扫描电镜采用 5 kV 加速电压、250 pA 低探针束流条件开展测试。XFlash® FlatQUAD 探测器能够尽可能贴近样品,即便在低辐照剂量电子束工况下,也可捕捉样品激发的微弱 X 射线信号,从而实现低束流条件下高质量的元素面扫描。
高真空下的绝缘样品——高空间分辨率