AFM 材料期刊俱乐部

由峰值力量 AFM 和 KPFM 辅助的合成方法的策略优化

由李大伟和陆永峰等人。

Nano Lett., 2018, 18 (3), pp 2021~2032

单晶过渡金属二钙化物 (TMD) 和基于 TMD 的异质结抗对于各种学术和工业应用非常重要。不断采用经济和可扩展的合成方法。本文介绍了直接形成高质量、单层或多层MOS2晶体的一种简单新颖方法。这项工作是有关采用峰值力 AFM 和 KPFM 技术来指导合成协议设计的一个很好的例子。简言之,为了了解生长机制,通过峰值力AFM和KPFM分析了一系列阶段淬火MOS2样品的中间阶段。PeakForce攻丝AFM模式是精确确定2D材料厚度的基准技术(希勒等人纳米技术,2016年,27,125704)。薄膜厚度的精度对于将生长层与 KPFM 或其他光学技术捕获的其他属性关联至关重要。与KPFM分析一起,作者可以自信地提出单层MOS2的多步增长模型。此外,合成单层用于通过局部域模式构建基于单层 MOS2 的铁电可编程肖特基结器件。该器件的局部结构是通过导电AFM和铁电域的特点是PFM成像。