Aplicaciones EDS para TEM, STEM y T-SEM

Semiconductores

Cuantificación De Pt En Una Estructura Semiconductora NiSi(Pt)-NiSi₂

El hexaboruro de lantano (LaB6) es un ejemplo muy ilustrativo para el análisis cuantitativo de EDS en S/TEM, ya que contiene dos extremos, un elemento muy ligero (B) y un elemento pesado (La).

Cuantificación de Pt

Análisis de fase química de una estructura en capas

Puede ser ventajoso comprobar imágenes hiperespectrales para la existencia de fases químicas sin aplicar conocimientos previos. La Autofase ESPRIT de Bruker encuentra automáticamente regiones de muestras de composición similar mediante el análisis de un HyperMap basado en el análisis de componentes principales de los espectros. La sensibilidad de este procedimiento se puede ajustar. El enfoque se demuestra utilizando una estructura de varias capas en sección transversal como ejemplo.

Análisis de fase

Caracterización química de nanocables

Las nanoestructuras, como los nanocables y nanorods y los nanovehículos funcionalizados son de creciente interés para diversas aplicaciones en nanotecnología, ya sea la nanoelectrónica o la administración de fármacos en el cuerpo humano.

Análisis EDS de columna atom

Las propiedades de un semiconductor están determinadas por su estructura a nivel atómico, por ejemplo por defectos puntuales. Utilizando el mapeo EDS a la resolución más alta posible es posible localizar y caracterizar tales defectos.

Identificación de un solo átomo en grafeno

No solo es el arte más alto de EDS para obtener espectros de un solo átomo, sino que también puede proporcionar nueva información valiosa sobre las propiedades de excitación de elementos específicos.

Un solo átomo en el grafeno

Composición química de las interconexiones de semiconductores

La espectroscopia de rayos X dispersiva de energía estándar (EDS o EDX) que utiliza áreas de detector de 30 mm² en microscopios electrónicos de transmisión de barrido convencionales (STEM) puede proporcionar mapeos de elementos con resolución nm en pocos minutos. La condición es que la cabeza del detector sea lo suficientemente pequeña (en diseño de línea delgada) para acercarse lo más posible a la muestra (ángulo sólido alto) y tan alta por encima de la muestra (para un ángulo de despegue alto). Este último ayuda a evitar efectos de sombreado y absorción.

Interconexiones de semiconductores

Mapeo de alta resolución de una estructura semiconductora usando STEM-EDS en SEM (T-SEM)

El mapeo de distribución de elementos de nanoestructuras semiconductoras con métodos basados en rayos X no siempre es sencillo. La necesidad de resolución espacial a nanoescala y superposiciones de picos de rayos X son desafíos comunes cuando se investigan materiales semiconductores. A veces puede ser beneficioso utilizar el SEM en lugar de costosas herramientas TEM y tiempo para la caracterización.

Mapeo de semiconductores

Nanomateriales

Materiales magnéticos

Mapeo de una nanoestructura magnética

El espécimen consiste en una esfera de SiO2 recubierta con capas nm-delgadas de tantalio (Ta), rutenio (Ru) y una mezcla superior de cobalto (Co), platino (Pt), cromo (Cr) y oxígeno (O).

Nanoestructura magnética

Mapeo cualitativo y cuantitativo de una partícula de cáscara de núcleo Pd-Pt

Las partículas de la cáscara del núcleo desempeñan un papel cada vez más importante en la nanotecnología, especialmente en la catálisis. Este ejemplo de aplicación presenta mapas de elementos de una nanopartícula de shell de núcleo Pd-Pt.

Partícula de la cáscara de la base