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用于 TEM、STEM 和 T-SEM 的应用 EDS
半导体
基于 Si
尼西(Pt)-尼西
2
半导体结构Pt的量化
六溴六氯胺(LaB6)是S/TEM定量EDS分析的一个非常说明性的例子,因为它包含两个极端,一个非常轻的元素(B)和一个重元素(La)。
Pt 的量化
LED
分层结构的化学相分析
无需应用事先了解,即可检查超光谱图像是否存在化学相。布鲁克的 ESPRIT 自动相通过基于光谱原理组件分析分析的超图自动查找类似成分的标本区域。此程序的灵敏度可以调整。以横截面中的多层结构为例,演示了该方法。
相位分析
我-V/LED
纳米线的化学特征
纳米结构,如纳米线和纳米棒,以及功能化的纳米车,对纳米技术的各种应用越来越感兴趣,无论纳米电子产品还是药物在人体中的传递。
纳米线
III-V
原子列 EDS 分析
半导体的特性由其原子水平上的结构决定,例如由点缺陷决定。使用 EDS 映射以尽可能高的分辨率定位和描述此类缺陷是可能的。
原子列
石墨烯
识别石墨烯上的单个原子
获得单个原子的光谱不仅是EDS的最高艺术,而且可以提供关于特定元素激发特性的宝贵新信息。
石墨烯上的单原子
基于 Si
半导体互连的化学成分
使用传统扫描传输电子显微镜 (STEM) 30mm2 的探测器区域的标准能量分散 X 射线光谱 (EDS 或 EDX) 可以在几分钟内提供具有 nm 分辨率的元素映射。条件是,探测器头足够小(在超细线设计)得到尽可能接近标本(高固体角度)和高于标本(高起飞角度)尽可能高。后者有助于避免阴影和吸收效果。
半导体互连
基于 Si
在 SEM (T-SEM) 中使用 STEM-EDS 的半导体结构的高分辨率映射
采用X射线方法的半导体纳米结构的元件分布映射并不总是直截了当的。在研究半导体材料时,纳米级空间分辨率和X射线峰值重叠的需求是常见的挑战。有时,使用 SEM 而不是昂贵的 TEM 工具和定性时间是有益的。
半导体映射
纳米材料
磁性材料
绘制磁性纳米结构图
标本由一个SiO2球体组成,球体上涂有薄薄的钛(Ta)、钛(Ru)层和钴(Co)、铂(Pt)、铬(Cr)和氧(O)的混合物。
磁性纳米结构
催化作用
Pd-Pt 核心壳粒子的定性和定量映射
核心壳粒子在纳米技术中起着越来越重要的作用,特别是在催化方面。此应用示例展示了 Pd-Pt 核心壳纳米粒子的元素映射。
核心壳粒子