TEM、ステムおよびT-SEMのためのアプリケーションEDS

半導体

NiSi(Pt)-NiSi2半導体構造におけるPtの定量化

ランタンヘキサホウ化物(LaB6)は、極度の極値(B)と重元素(La)の2つの極端な値を含むため、S/TEMにおける定量EDS分析の非常に例示的な例である。

Pt の定量化

層状構造の化学相解析

事前知識を応用せずに、超スペクトル画像の化学相の有無を確認することが有利です。Brukerの ESPRIT オートフェーズは、スペクトルの主成分分析に基づいてハイパーマップを分析することにより、類似した組成の標本領域を自動的に検出します。この手順の感度は調整できます。このアプローチは、断面の多層構造を例に示しています。

フェーズ分析

ナノワイヤの化学的特性評価

ナノワイヤやナノロッド、機能化されたナノカーなどのナノ構造は、ナノテクノロジーにおける様々な用途に関心を高めており、ナノエレクトロニクスや人体での薬物送達などである。

ナノワイヤー

アトムカラムEDS分析

半導体の特性は、原子レベルの構造によって、例えば点欠陥によって決定される。可能な限り高い解像度でEDSマッピングを使用すると、そのような欠陥を見つけて特徴付けることができ、

グラフェン

グラフェン上の単一原子を識別する

単一原子のスペクトルを得ることはEDSの最高技術であるだけでなく、特定の要素の励起特性に関する貴重な新しい情報を提供することもできます。

グラフェン上の単原子

半導体相互接続の化学組成

標準的なエネルギー分散X線分光法(EDSまたはEDX)は、従来の走査型透過電子顕微鏡(STEM)上で30mm²の検出器領域を用いて、数分以内にnm解像度の要素マッピングを実現することができます。条件は、検出器の頭部が(高い固体角)のために標本に近づくのに十分な(スリムライン設計で)、できるだけ高い(高い離陸角のために)標本の上に得るのに十分小さいということである。後者は、影と吸収効果を避けるのに役立ちます.

半導体相互接続

SEM(T-SEM)におけるSTEM-EDSを用いた半導体構造の高分解能マッピング

X線法による半導体ナノ構造体の素子分布マッピングは、必ずしもまっすぐ進むとは限らない。ナノスケールの空間分解能とX線ピークの重複の必要性は、半導体材料を調査する際の一般的な課題です。高価な TEM ツールの代わりに SEM を使用し、特性評価に時間を費やしても役立つ場合があります。

半導体のマッピング

ナノマテリアル

磁気ナノ構造のマッピング

この標本は、タンタル(Ta)のnm-thin層、ルテニウム(Ru)、コバルト(Co)、白金(Pt)、クロム(Cr)および酸素(O)の混合物でコーティングされたSiO2球体で構成されています。

磁気ナノ構造

Pd-Pt コアシェル粒子の定性的および定量的マッピング

コアシェル粒子は、特に触媒において、ナノテクノロジーにおいてますます重要な役割を果たします。このアプリケーション例では、Pd-Pt コアシェルナノ粒子の要素マップを示します。

コアシェル粒子