Siコア-Cシェルナノ粒子の超高分解能元素マッピング

Siナノ粒子などのビームに敏感なサンプルのSEMベースのEDS分析には、非常に低いビーム電流や非常に短い測定時間が必要です。高い空間分解能が必要な場合は、低電圧で電子とサンプルの相互作用を減らす必要があります。従来のEDS測定では、励起されるX線の収率が非常に低く、非常に長い測定時間が必要になるため、このような分析の条件は困難です。結果として、ビームによってサンプルドリフトが生じ、空間分解能に影響を与えてしまいます。

XFlash® FlatQUADで実行される EDS 測定では、これらの制限を克服できます。XFlash® FlatQUADの独自の形状は、低X線収量の材料に対して高い検出感度を可能にし、低いプローブ電流で高いカウント率が得られます。従って、XFlash® FlatQUAD検出器は、凹凸がありビームに敏感な材料をマッピングするのに理想的です。

この例では、シリコンナノ粒子の高解像度マップ(ピクセル間隔 2 nm)を示しています。マッピングは、5 kV、520 pA、377秒の取得時間で、XFlash® FlatQUAD を使用して行われました。結果として、本ナノ粒子がシリコンコア(緑)とカーボンシェル(赤)によって特徴付けられることを示しています。

(データ提供:S.Rades et al., Royal Society of Chemistry Advances, 2014, 4, 49577)

フィルター材料上のシリコンナノ粒子のSE画像
シリコンナノ粒子の元素分布マップ(緑:シリコン、赤:炭素)
元素マップから抽出されたラインスキャンより、シリコンナノ粒子が直径100nmであることが確認できました