시 코어-C-쉘 실리콘 나노입자의 초고해상도 원소 매핑
Si 나노 입자와 같은 빔 에민감한 샘플의 SEM 기반 EDS 분석에는 매우 낮은 빔 전류 및/또는 매우 짧은 측정 시간이 필요합니다. 높은 공간 해상도가 필요할 때 전자 시료 상호 작용 볼륨을 줄이기 위해 저전압을 사용해야 합니다. 기존의 EDS 측정의 경우, 유도된 X선 수율이 매우 낮기 때문에 이러한 분석 조건이 어렵기 때문에 측정 시간이 매우 길어지고 있습니다. 결과는 공간 해상도에 영향을 미치는 빔 유도 샘플 드리프트입니다.
XFlash® FlatQUAD로 수행된 EDS 측정은 이러한 한계를 극복합니다. XFlash® FlatQUAD의 고유한 형상은 낮은 X-ray 수율 재료에 대한 높은 검출 감도를 제공하므로 낮은 프로브 전류에서 높은 수율을 제공합니다. 따라서, XFlash® FlatQUAD 검출기는 지형에서도 빔에 민감한 재료를 매핑하는 데 이상적입니다.
이 예제에서는 실리콘 나노 입자의 고해상도 맵(2nm의 픽셀 간격!)을 제공합니다. 매핑은 5 kV, 520 pA 및 377s 의 인수 시간에 XFlash® FlatQUAD로 수행되었습니다. 상기 결과는 현재 나노입자가 실리콘 코어(green)와 카본 쉘(red)을 특징으로 한다는 것을 나타낸다. (자료 제공: S.Rades 외. 왕립 화학 발전 협회, 2014, 4, 49577)
필터 재료에 실리콘 나노 입자의 SE 이미지
녹색으로 빨간색과 실리콘의 탄소를 보여주는 실리콘 나노 입자의 원소 분포지도
잘못된 색상의 원소 맵에서 추출된 선은 실리콘 나노입자의 직경이 100nm인 것을 나타냅니다.