FilmTek™ 6000 PAR‑SEは、特許取得済のマルチアングル差分偏光法(MADP)と差分パワースペクトル密度(DPSD)技術を組み合わせることで、薄膜の厚さと屈折率を独立して測定します。屈折率と膜厚を別々に評価できるため、FilmTek 6000 PAR‑SEは、従来のエリプソメトリーや反射率測定に依存する計測ツールと比べ、特に多層膜構造におけるわずかな膜特性の変化に対して、はるかに高い感度を発揮します。この特性により、複雑なデバイス構造の製造に用いられる超薄膜から厚膜まで、多層膜構造全体の評価に最適なシステムとなっています。
以下の項目を同時に測定可能:
標準仕様:
回転補償子設計による分光エリプソメトリー(295 nm - 1700 nm)
マルチアングル、偏光分光反射(190 nm - 1700 nm)
膜厚と屈折率を個別に測定
SCIが特許取得済の差分パワースペクトル密度(DPSD)技術を用いたマルチアングル差分偏光解析法(MADP)技術
極薄フィルムの測定に最適(自然酸化膜で0.03Åの再現性)
特許取得の放物面ミラー技術 – 50×50 µmの極小スポットサイズを実現
カセット・ツー・カセットのウエハ処理
パターン認識(Cognex)
FOUPおよびSMIF対応
SECS/GEM
先進的な材料モデリングソフトウェア
高度で広範囲の最適化アルゴリズムを備えたブルカーの広範な材料モデル
半導体前工程
半導体の前工程でパターン化されたデバイスウエハ上で、高速かつ正確で再現性の高い多層膜の膜厚と屈折率の測定を行います。
FilmTekシステムは、酸化物、窒化物、ONO、酸化物/窒化物/Cu、ポリシリコン/酸化物、AlN、TaN、TiN、SiGex、レジスト、Si3N4/GaAs、ARC、ゲート酸化膜、GaAs膜、Cu上のCMP、その他ウエハ製造プロセス全体で発生する多くの材料のプロセス制御を可能にします。
| Film(s) | Thickness | Measured Parameters | Precision (1σ) |
|---|---|---|---|
| Oxide / Si | 0 - 1000 Å | t | 0.03 Å |
| 1000 - 500,000 Å | t | 0.005% | |
| 1000 Å | t , n | 0.2 Å / 0.0001 | |
| 15,000 Å | t , n | 0.5 Å / 0.0001 | |
| 150.000 Å | t , n | 1.5 Å / 0.00001 | |
| Nitride / Si | 200 - 10,000 Å | t | 0.02% |
| 500 - 10,000 Å | t , n | 0.05% / 0.0005 | |
| Photoresist / Si | 200 - 10,000 Å | t | 0.02% |
| 500 - 10,000 Å | t , n | 0.05% / 0.0002 | |
| Polysilicon / Oxide / Si | 200 - 10,000 Å | t Poly , t Oxide | 0.2 Å / 0.1 Å |
| 500 - 10,000 Å | t Poly , t Oxide | 0.2 Å / 0.0005 |
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