2Dトランスデューサ（ナノスクラッチ）
1つの測定ヘッドでナノインデンテーションとナノスクラッチに対応
業界最高水準の性能
ブルカー独自の2次元静電容量型トランスデューサは、1つの試験ヘッドでナノインデンテーションとナノスクラッチの両方に対応します。
2次元トランスデューサは、垂直方向および水平方向の荷重と変位を高感度に測定できるため、ナノメカニカル特性およびトライボロジー特性を定量的に評価できます。ナノスクラッチモードでは、微細構造、界面、超薄膜における局所的な摩擦・摩耗特性を評価できるほか、荷重増加スクラッチ試験により薄膜と基板の界面密着性を定量的に評価できます。
また、垂直方向と水平方向の両軸において静電駆動と静電容量式変位センシングを採用し、高い感度と優れた測定精度を実現しています。さらに、水平方向の荷重印加にモーター駆動ステージを使用しないため、ナノメートルからマイクロメートルスケールにわたるトライボロジー特性を高い精度・高信頼性で評価できます。
Low-k膜の損傷を示すナノスクラッチ痕の3D形状像。