走査型キャパシタンス顕微鏡(SCM)

高分解能の二次元ドーパントプロファイリング

従来、不均一にドープされた半導体のキャリア濃度のマッピングには、二次イオン質量分析(SIMS)、拡がり抵抗プロファイリング(SRP)、一次元キャパシタンス-電圧測定(C-V)といった手法が用いられてきました。これらの機器では、一次元のデータをもたらすことはできますが、定量的な二次元情報を推定する必要があります。

走査型キャパシタンス顕微鏡(SCM)モードは、活性キャリア濃度をナノスケールの精度で、かつ二次元で直接測定する手法です。SCMは コンタクトモード から派生したモードで、超高感度の高周波数共振回路を用いて、チップとサンプルのあいだのキャパシタンスの変化を測定するものです。

ブルカーではSCMに加えて、幅広い電気アプリケーションに対応する複数のナノ電気特性測定モード を提供しています。

SCMモードを搭載するブルカーのAFMシステム:

推奨されるAFMプローブ:

Scanning capacitance microscopy 1
Topography (left) and SCM (right) images of a semiconductor surface. The indicated regions in the SCM image represent areas heavily doped by As+ ions (70μm scan size).