QCVelox-HR作为复杂外延层结构量测的最新机型,兼具超高产能与高精度优势,是化合物半导体制造领域的不二之选。它集成了高分辨率X射线衍射(HRXRD)和X射线反射率(XRR)测量技术。HRXRD能精确测量外延层的晶体质量(crystal quality)、应变(strain)、弛豫(relaxation)和厚度(thickness),而XRR则能确定其厚度、密度和表面粗糙度。
QCVelox-HR 具备全自动化功能及工厂集成软件,完美适配生产线量测场景。数据采集完成后,布鲁克强大的分析软件可精准可靠地分析出外延层工艺参数,并通过自动生成报告及即时反馈,实现对生产线的有效管控与监测。
QCVelox-HR 可实现外延层质量的全自动管控,能提供包括组分、厚度及均匀性在内的详细特性参数。通过对关键结构参数的全面表征,确保外延层及薄膜符合高性能器件所需的规格标准。
QCVelox-HR提供的独特优势:
QCVelox-HR 通过全自动化的晶圆装卸、对准与测量流程生成可靠的量测数据,随后由布鲁克行业领先的数据分析软件完成自动分析与报告生成。该设备凭借对外延层质量的全自动高精度管控,助力制造商实现以下目标:
高产能与高精度的结合,可以使测量采样率的提升易于实现 —— 这让制造商能够尽早发现工艺问题,从而改善产品质量、减少物料浪费。布鲁克融入多项独特设计,在保证高精度的同时实现了业内最快的测量速度。这一创新成果源于我们在半导体领域的深厚积累:凭借丰富经验与专业技术,持续为行业提供尖端且可靠的设备。
依托在全自动晶圆厂积累的丰富在线应用经验,布鲁克开发出行业领先的自动化分析与报告软件系统。该系统集成多项核心功能,包括:用于离线数据分析的批量拟合功能、带有合格/不合格判定标准的全自动晶圆报告,以及可选的SECS/GEM通信协议报告功能。
GaN对称晶面(002)摇摆曲线的半高宽(FWHM)与非对称晶面(102)摇摆曲线的半高宽(FWHM)的结合使用,可测量和评估 GaN 沟道材料的扭折(twist)与马赛克倾斜(tilt)特征。
针对阶梯式渐变缓冲层结构,采用三轴模式的Omega-2Theta扫描可测定 AlGaN 缓冲层的Al组分、GaN cap层厚度及 AlGaN 器件层厚度。针对超晶格结构,则可通过该扫描技术测定超晶格的周期厚度与组分。
XRR技术可精确测量AlGaN器件层与GaN盖帽层的厚度、密度及表面粗糙度,为薄膜质量评估提供关键数据。布鲁克的多阶REFS建模方法可实现对这些外延层的精准表征。
在Omega-2Theta 扫描中,缓冲层峰通常会掩盖器件层峰。布鲁克的Qz扫描技术通过在倒易空间 L 方向对 GaN 层进行直接扫描,解决了这一难题。该方法可在最小化缓冲层干扰的前提下,精准测量 AlGaN 器件层,且易于集成至日常工艺监控测量中。
半导体器件中器件层与缓冲层的组分与弛豫度测定虽然复杂,但对于失效分析工作、器件可靠性提升等目标十分重要。布鲁克的非对称RSM解决方案通过高精度测量、高亮度1D探测器实现快速数据采集,并结合PeakSplit软件进行自动化分析,可高效地应对此挑战。
HRXRD技术可测量外延层的晶体质量、应变、弛豫度及厚度,而XRR技术则可确定外延层的厚度、密度及表面粗糙度。
每个Fab厂均有其独特的需求与技术挑战。下述产品规格及相关服务只是讨论的起点,我们十分乐意与您深入合作,让我们的专业能力满足您的构想。
| Wafer Handling | Wafer robot with open cassette up to 200 mm; EFEM 200 mm-300 mm FOUP, 150 mm-200 mm SMIF |
| SECS/GEM | Yes |
| Cleanliness Specification | ISO Class 3 |
| Standards Compliance | SEMI S2, S8, S14, S22, S23, F47 |
| Footprint (with EFEM) | 1.35 m x 2.6 m |
QCVelox-HR配备布鲁克一整套成熟可靠的软件套组: