Extreme Lithography Cleaner
第二代光罩干洗系统
Extreme Lithography Cleaner (EL-C)
EL-C®系统广泛适用于各种应用场景，包括清除生产及处理过程中沉积在上表面和背面的颗粒，尤其适合清楚由其他设备引入的颗粒污染物。EL-C® 采用干式清洁方法，全程无污染。光罩可根据需要进行多次清洁，对直径小至50nm的软颗粒实现100%的彻底清除能效。
CO₂低温干洗
经生产验证的工艺
在全球多个先进节点工厂（包括晶圆厂和掩模板车间）执行高规格的光罩清洁工作
整个正背面
适合光学和EUV掩模版的清洁
可适应高达3:1深宽比的几何特征结构
无损
超过50+ CO₂循环清洁
专为保护脆性结构以及SRAFs ≥40nm的器件而设计，确保其免受任何形式的损伤。此外，系统的工作原理完全消除了透射和反射效应，并有效防止了吸收层的损坏。
100%
软颗粒（Soft Particle）去除效率
Production-Proven
CO2 dry cleaning process
Delivers reliable results for a wide variety of sites worldwide.
100%
soft particle removal efficiency
Removes particles down to 50 nm on both front and back sides.
Damage-Free
cryogenic aerosol photomask cleaning
Preserves fragile structures over 50+ cleaning cycles.
低温气溶胶清洁原理（Cryogenic Aerosol ）支持全种类光罩清洁
在光罩的生产制造和曝光处理过程中，未知颗粒的污染持续困扰着先进节点的光罩使用。而随着光罩材料变得越来越复杂，关键尺寸不断缩小，高效、无损的清洁技术变得日益重要。
数年前，布鲁克推出了全新的光罩清洁选择——Extreme Lithography Cleaner (EL-C®) 低温干洗系统。与传统清洁技术相比，该系统不仅显著提升了软颗粒的清除效率，还极大减少了对特征结构的损害及表面再污染的风险。如今，EL-C®系统已被广泛应用于全球各个晶圆及光罩厂，助力企业实现更高标准的质量控制与生产效率。
全自动或手动上样操作
- SMIF & Overhead Track 兼容; RFID/OCR/条形码识别
- SECS/GEM 兼容
- 操作方便；高度用户友好的GUI
多类光罩清洁能力
- EUV & Optical Front-side cleaning
- EUV & Optical Back-side cleaning
- Full mask clean
- Local area (spot) clean
- Pre-repair clean (differentiate “soft” verses “hard” defects)
- Post-repair clean (nanomachining debris)
- Persistent particle clean
- Removal of adders from other equipment
- Mask blank clean
