STEM im REM-Funktionen mit integriertem ARGUS Bildgebungssystem
ARGUS der allsehende mythische Riese ist zurück
Wie sein Vorgänger wurde auch der OPTIMUS 2-Detektorkopf mit integriertem ARGUSTM-System entwickelt, um STEM-Bildgebungsfunktionen im REM zu ermöglichen. Durch drei Si-Dioden an der Vorderkante und einer Si-Diode in der Mitte des Bildschirms bietet OPTIMUS 2:
- Dunkelfeld-ähnliche Bildgebung
- Hellfeld-ähnliche Bildgebung in TKD-Mapping-Position
- Bildgebung mit Geschwindigkeiten von bis zu 125.000 Pixeln/Sek.
- Vollautomatische Signaloptimierung zur Erstellung von Bildern mit unübertroffener Qualität und Detailtreue
Die neue Hellfeld-ähnliche Bildgebungsfunktion eignet sich besonders für die Driftkorrektur während des Mappings sowie für die nahezu Echtzeit-Visualisierung von Proben bei dynamischen Experimenten wie In-situ-Zugversuche, Heiz- und elektrischer Biasing-Experimente an elektronentransparenten Proben.
2,8 MPixel Dunkelfeld-ähnliches Bild (links) und vergrößerte Ansicht des markierten Bereichs eines 20 nm Goldfilms, der auf einer amorphen Si3N4-Membran abgeschieden wurde. Es sind durch Glühen entstandene Zwillinge kleiner als 10 nm sichtbar. Das Bild wurde in 66 Sekunden mit einem Strahlstrom von 800 pA und einer Beschleunigungsspannung von 30 kV aufgenommen. Skala im Hauptbild ist 400 nm; Skala in Detailansicht stellt 50 nm dar.
Dunkelfeld-ähnliche & Hellfeld-ähnliche Aufnahmen verschiedener Materialien
Hellfeld-ähnliches Bild eines Ru-Dünnfilms, aufgenommen in 3 s mit 1 nm Schrittweite, einem Strahlstrom von 400 pA und einer Beschleunigungsspannung von 30 kV
Ultrahochauflösendes Hellfeld-ähnliches Bild eines Ru-Dünnfilms, aufgenommen in 3 s mit 0,5 nm Schrittweite, einem Strahlstrom von 400 pA und einer Beschleunigungsspannung von 30 kV
Dunkelfeld-ähnliches Bild eines Ru-Dünnfilms, aufgenommen in 3 s mit 1 nm Schrittweite, einem Strahlstrom von 800 pA und einer Beschleunigungsspannung von 30 kV
4 Mpixel, Hellfeld-ähnliches Aufsichtsbild eines Ge-Sb-Te (GST) Dünnfilms, auf einem TEM-Gitter mit Siliziumnitrid-Stützfolie. Das Bild wurde in 2:05 min mit 5 nm Schrittweite, einem Strahlstrom von 2 nA und einer Beschleunigungsspannung von 30 kV aufgenommen. Probe mit freundlicher Genehmigung von Prof. Aaron Lindenberg und seiner Gruppe an der Stanford University in den USA.
4 Mpixel, Dunkelfeld-ähnliches Aufsichtsbild eines Ge-Sb-Te (GST) Dünnfilms, auf einem TEM-Gitter mit Siliziumnitrid-Stützfolie. Das Bild wurde in 2:05 min mit 5 nm Schrittweite, einem Strahlstrom von 2 nA und einer Beschleunigungsspannung von 30 kV aufgenommen. Probe mit freundlicher Genehmigung von Prof. Aaron Lindenberg und seiner Gruppe an der Stanford University in den USA.
Hellfeld-ähnliches Bild eines Ru-Dünnfilms, aufgenommen in 8 s mit 1 nm Schrittweite, einem Strahlstrom von 700 pA und einer Beschleunigungsspannung von 30 kV
Hellfeld-ähnliches Bild eines Ru-Dünnfilms, aufgenommen in 8 s mit 0,5 nm Schrittweite, einem Strahlstrom von 700 pA und einer Beschleunigungsspannung von 30 kV
Dunkelfeld-ähnliches Bild eines Ru-Dünnfilms, aufgenommen in 8 s mit 1 nm Schrittweite, einem Strahlstrom von 700 pA und einer Beschleunigungsspannung von 30 kV
Dunkelfeld-ähnliches Bild eines Ru-Dünnfilms, aufgenommen in 8 s mit 0,5 nm Schrittweite, einem Strahlstrom von 700 pA und einer Beschleunigungsspannung von 30 kV
Dunkelfeld-ähnliches Aufschtsbild eines Pt-Dünnfilms, der auf Si-Wafersubstrat abgeschieden und mit der Dimpling-Methode gedünnt wurde. Das Bild wurde in 14 s mit 2 nm Schrittweite, einem Strahlstrom von 1,7 nA und einer Beschleunigungsspannung von 30 kV aufgenommen. Vielen Dank an Herrn Dr. Wolfgang Grünewald/Leica Microsystems zur Vorbereitung/Dünnung der TKD-Probe.