ARGUS内蔵イメージングシステムによるSEM内STEM観察
すべてを見通す神話の巨人「ARGUS」が再び登場
OPTIMUS 2 検出器ヘッドは、前モデル同様、ARGUS™ システムを内蔵し、SEM における STEM イメージング機能を提供するよう設計されています。
スクリーン前縁に配置された 3 つの Si ダイオードと、中央に配置された 1 つの Si ダイオードにより、OPTIMUS 2 は以下の機能を実現します。
・暗視野（DF）像に相当するイメージング
・TKD マッピング位置での明視野（BF）像に相当するイメージング
・最大 125,000 ピクセル／秒の高速イメージング
・完全自動の信号最適化による、比類のない画質
新たに追加された BF ライクなイメージング機能は、マッピング中のドリフト補正に特に有効であると同時に、in‑situ 引張試験、加熱実験、電気バイアス印加などの動的実験において、電子線透過試料をほぼリアルタイムで可視化する用途にも非常に有用です。
2.8 メガピクセルの DF ライク像（左）と、ハイライトされた領域の拡大像。非晶質 Si₃N₄ メンブレン上に成膜した 20 nm 厚の金薄膜において、10 nm 未満のアニール双晶が確認されています。本画像は、プローブ電流 800 pA、加速電圧 30 kVの条件で、66 秒で取得されました。スケールバーは、全体像および拡大像においてそれぞれ 400 nm および 50 nm を示しています。
様々な材料から得られたDFライク及びBFライク画像
1nmのステップを用いて3sで取得したRu薄膜のBFのような画像：400pAのプローブ電流および30kVの加速電圧
0.5 nmのステップを用いて3sで取得したRu薄膜のBFのような超高解像度画像：400 pAのプローブ電流および30kVの加速電圧
1 nmのステップを用いて3sで取得したRu薄膜のDFのような画像：800pAのプローブ電流および30kVの加速電圧
4Mピクセル、シリコン窒化物支持フィルムを有するTEMグリッドに堆積したGe-Sb-Te(GST)薄膜のBFのような平面画像。画像は5 nmのステップで2 nAのプローブ電流、30kVの加速電圧を用いて2:05分で取得しました。サンプルはアメリカのスタンフォード大学のアーロン・リンデンバーグ教授と彼のグループの好意によります。
4 Mピクセル、シリコン窒化物支持フィルムを有するTEMグリッドに堆積したGe-Sb-Te(GST)薄膜のDFのような平面画像。画像は、5 nmのステップ、2 nAのプローブ電流、30kVの加速電圧を用いて2:05分で取得しました。サンプルは、アメリカのスタンフォード大学のアーロン・リンデンバーグ教授と彼のグループの好意によります。
1nmのステップを用いて8 sで取得したRu薄膜のBFのような画像：700pAのプローブ電流、30kVの加速電圧
0.5 nmのステップを用いて8sで取得したRu薄膜のBFのような画像：700 pAのプローブ電流、30kVの加速電圧
1 nmのステップを用いて8 sで取得したRu薄膜のDFのような画像：700pAのプローブ電流、30kVの加速電圧
0.5 nmのステップを用いて8 sで取得したRu薄膜のDFのような画像：700 pAのプローブ電流および30kVの加速電圧
Siウエハ基板に堆積し、ディンプル法によって薄くしたPt薄膜のDのような平面画像。画像は、2nmのステップを用いて、1.7 nAのプローブ電流、30kVの加速電圧、14 sで取得しました。TKDサンプルの準備/薄化に際して、ドイツのLeica MicrosystemsのDr. Wolfgang Grünewaldに感謝いたします。