ARGUS 이미징 시스템이 내장된 SEM 기능의 STEM
아르거스 모든 보고 신화 거인이 돌아왔다
이전 모델과 마찬가지로 OPTIMUS 2 검출기 헤드는 SEM 이미징 기능의 STEM을 제공하기 위해 ARGUSTM 시스템이 내장되어 설계되었습니다. 전면 가장자리에 3개의 시 다이오드와 화면 중앙에 시 다이오드 1개를 장착한 옵티머스 2는 다음을 제공합니다.
- 다크 필드 (DF)와 같은 이미징
- TKD 매핑 위치에 있는 동안 밝은 필드 (BF)와 같은 이미징
- 최대 125,000픽셀/초의 속도로 이미징
- 완전히 자동 신호 최적화하여 품질과 디테일이 뛰어난 이미지를 생성합니다.
새로운 BF와 같은 이미징 기능은 전자 투명 샘플의 인장 테스트, 가열 및 전기 적 편향과 같은 동적 실험 중에 시료의 거의 실시간 시각화뿐만 아니라 매핑 중에 드리프트 보정에 특히 유용합니다.
2.8 Mpixel DF와 같은 이미지(왼쪽)와 20nm 금필름의 강조된 영역을 확대하여 비정질 Si₂N₄ 멤브레인에 증착하여 10nm 의 어닐링 쌍둥이를 보여주는 막. 이미지는 800 pA의 프로브 전류와 30 kV의 가속 전압을 사용하여 66 초 만에 획득되었습니다. 주 이미지의 배율 막대및 확대된 뷰 이미지는 400nm 및 50nm를 나타냅니다.
다양한 재료에서 획득한 DF 와 같은 이미지 및 BF 와 같은 이미지
1nm의 단계, 400 pA의 프로브 전류 및 30 kV의 가속 전압을 사용하여 3 s에서 획득 한 Ru 박막의 BF 와 같은 이미지
0.5nm의 단계, 400 pA의 프로브 전류 및 30 kV의 가속 전압을 사용하여 3 s에서 획득한 Ru 박막의 초고해상도 BF 와 같은 이미지
1nm의 단계, 800 pA의 프로브 전류 및 30 kV의 가속 전압을 사용하여 3 s에서 획득 한 Ru 박막의 DF 와 같은 이미지
4 Mpixel, 실리콘 Nitride 지원 필름과 TEM 그리드에 증착 Ge-Sb-Te (GST) 박막의 평면 보기 BF 와 같은 이미지. 이미지는 5nm의 단계, 2 nA의 프로브 전류 및 30 kV의 가속 전압을 사용하여 2:05 분에 획득되었습니다. 샘플은 아론 린덴버그 교수와 미국 스탠포드 대학에서 그의 그룹의 호의입니다.
4 Mpixel, 실리콘 Nitride 지원 필름과 TEM 그리드에 증착 Ge-Sb-Te (GST) 박막의 평면 보기 DF 와 같은 이미지. 이미지는 5nm의 단계, 2 nA의 프로브 전류 및 30 kV의 가속 전압을 사용하여 2:05 분에 획득되었습니다. 샘플은 아론 린덴버그 교수와 미국 스탠포드 대학에서 그의 그룹의 호의입니다.
1nm의 단계, 700 pA의 프로브 전류 및 30 kV의 가속 전압을 사용하여 8 s에서 획득 한 Ru 박막의 BF 와 같은 이미지
0.5nm의 단계, 700 pA의 프로브 전류 및 30 kV의 가속 전압을 사용하여 8 s에서 획득 한 Ru 박막의 BF 와 같은 이미지
1nm의 단계, 700 pA의 프로브 전류 및 30 kV의 가속 전압을 사용하여 8 s에서 얻은 Ru 박막의 DF 와 같은 이미지
0.5nm의 단계, 700 pA의 프로브 전류 및 30 kV의 가속 전압을 사용하여 8 s에서 획득 한 Ru 박막의 DF 와 같은 이미지
Si 웨이퍼 기판에 증착되고 딤플 방법을 사용하여 얇아진 Pt 박막의 평면 뷰 DF 와 같은 이미지. 이 이미지는 2nm의 단계, 1.7nA의 프로브 전류 및 30 kV의 가속 전압을 사용하여 14s에서 획득되었습니다. 독일 라이카 마이크로시스템즈의 볼프강 그뤼뉴알드 박사 덕분에 TKD 샘플을 준비/희석시켰습니다.