内置ARGUS成像系统使SEM具备STEM成像能力
传奇全视巨人ARGUS强势回归
与前代产品一样，OPTIMUS 2探测器头内置了ARGUS™系统，以提供SEM中的STEM成像能力。其前端边缘的三个Si二极管和屏幕中心的一个Si二极管，使OPTIMUS 2能够实现：
- 暗场（DF）成像效果
- 在TKD分析位置下的明场（BF）成像效果
- 高达125,000点/秒的成像速度
- 完全自动化的信号优化，以生成无与伦比的高质量和细节的图像
这种新的类明场成像能力特别适用于在分析过程中进行漂移校正，以及在动态实验（如原位拉伸试验、加热以及电子透明样品的电偏压实验）中近乎实时地观察样品。
280万像素的暗场（DF）图像（左）及20 nm厚金膜的高亮区域放大视图，该金膜沉积在非晶态Si₃N₄膜上，显示出小于10 nm的退火孪晶。该图像使用800 pA的束流和30 kV的加速电压在66秒内获取。主图像和放大视图中的标尺分别为400 nm和50 nm。
对各种材料采集暗场（DF）和明场（BF）图像
使用1 nm步长、400 pA束流和30 kV加速电压在3秒内获取的钌（Ru）薄膜的明场像。
使用0.5 nm步长、400 pA束流和30 kV加速电压在3秒内获取的钌（Ru）薄膜的超高分辨率明场像。
使用1 nm步长、800 pA束流和30 kV加速电压在3秒内获取的钌（Ru）薄膜的暗场像。
400万像素沉积在带有硅氮化物支撑膜的TEM载网上的Ge-Sb-Te（GST）薄膜的平面视图明场像，。图像使用5 nm步长、2 nA束流和30 kV加速电压在2分5秒内获取。样品由美国斯坦福大学的Aaron Lindenberg教授及其团队提供。
400万像素的沉积在带有硅氮化物支撑膜的TEM载网上的Ge-Sb-Te（GST）薄膜平面视图暗场像。图像使用5 nm步长、2 nA束流和30 kV加速电压在2分5秒内获取。样品由美国斯坦福大学的Aaron Lindenberg教授及其团队提供。
使用1 nm步长、700 pA束流和30 kV加速电压在8秒内获取的钌（Ru）薄膜的明场像。
使用0.5 nm步长、700 pA束流和30 kV加速电压在8秒内获取的钌（Ru）薄膜的明场像。
使用1 nm步长、700 pA束流和30 kV加速电压在8秒内获取的钌（Ru）薄膜的暗场像。
使用0.5 nm步长、700 pA束流和30 kV加速电压在8秒内获取的钌（Ru）薄膜的暗场像。
沉积在硅片基底上并采用减薄法处理的铂（Pt）薄膜暗场像平视视图。图像使用2 nm步长、1.7 nA束流和30 kV加速电压在14秒内获取。感谢德国徕卡显微系统公司的Wolfgang Grinewald博士制备/减薄TKD样品