Ultraschnelle Abbildung Ihrer EBSD Proben mittels Orientierungskontrast (vorwärtsgestreute Elektronen/FSE) und Rückstreukontrast (BSE)

Beste Bildqualität nur mit ARGUS-System

Das Bildgebungssystem ARGUS kombiniert eine geniale Idee [A.P. Day et all] mit hochwertigen Siliziumdioden und Brukers unübertroffener Signalverarbeitungstechnologie, um FSE- und BSE-Bilder mit unübertroffener Qualität und Detailtreue zu liefern. Hier sind die wichtigsten Funktionen, die ARGUS zur besten Lösung machen, die heute verfügbar ist:

• FSE – Brillanter Orientierungskontrast in Falschfarben

• BSE – Hochwertiger Materialkontrast anhand der Rückstreuelektronen

• Abbildung mit Geschwindigkeiten von bis zu 125.000 Pixeln/Sekunde

• Schnelle und vollautomatische Signaloptimierung in der ESPRIT Software

• Die Signalverstärkungselektronik ist vollständig in den EBSD-Detektor integriert, d.h. externe Anbauten werden nicht benötigt

• Vom Benutzer austauschbare Dioden

ARGUS Bildgebungssystem

Phasenkontrast in einem Querschnitt-BSE-Bild einer thermischen Barrierebeschichtung auf einer Turbinenschaufel

Orientierungskontrast eines Edelstahls aus additiver Fertigung

Die oben beschriebenen ARGUS-Spezifikationen kombiniert mit verschiedenen ESPRIT-Softwarefunktionen ergeben leistungsstarke Vorteile für verschiedenste Anwendungen. Hier nur einige Beispiele:

Zeitaufgelöste Visualisierung von Proben bei In-situ-Experimenten, z.B. In-situ-Zug- und Kompressionstests – ESPRIT TRM-Funktion
Präzise Driftkorrektur beim EBSD-Mapping – ESPRIT Drift Correction-Funktion
Alternative zur sehr schnellem EBSD-Mapping – Rapid EBSD-Funktion
Visualisierung von geringsten Orientierungsänderungen und magnetischen Domänen in Kristallen

Anwendungsbeispiele

Weitere Informationen zu den Vorteilen des ARGUS-Bildgebungssystems und Anwendungsbeispielen finden Sie in unserer Bildergalerie unten oder verwandten Videos auf unserem Bruker Nano Analytics YouTube-Kanal.

Abb. 1: ARGUS BSE-Bild einer thermischen Barrierebeschichtung auf einer Turbinenschaufel bestehend aus mehreren Phasen mit unterschiedlicher Elementarzusammensetzung, d.h. unterschiedlichen durchschnittlichen Ordnungszahlen.

Abb. 2: ARGUS FSE-Bild eines austenitischen Edelstahls aus additiver Fertigung, mit sehr heterogene Mikrostruktur. Das Muster ergibt sich aus dem repetitiven Prinzip dieses Herstellungsprozesses. Die Farbvariation zeigen die Änderungen der Kristallorientierung.

Abb. 3: ARGUS FSE Bild (Orientierungskontrast) von verformtem Cu.

Abb. 4: ARGUS FSE-Bild einer Duplex-Stahlprobe, die 8 Stunden bei 650°C geglüht wurde. Die ursprüngliche gebänderte Struktur ist immer noch sichtbar mit großen Austenit-Kornbändern, die durch Cluster von Ferrit-, Sigma- und Chi-Phasen getrennt werden.

Abb. 5: ARGUS FSE-Bild einer Co-Legierungsprobe nach Indentierung mit Hysitron PicoIndenter PI 89. Merkmale kristallographischen Ursprungs, die auf die Aktivierung mehrerer Gleitsysteme hinweisen, sind in der Nähe der Indenter-Eindrücke bei 3, 9 und 12 Uhr sichtbar.

Abb. 6: ARGUS FSE-Bilder einer AZ31-Probe nach In-situ-Kompressionstests (links) und anschließenden Zugversuchen (rechts). Umfangreiche Zwillingsbildung, die während des Kompressionstests stattgefunden hat, ist in der oberen linken Ecke der Darstellung links zu sehen. Die meisten Zwillinge verschwanden während des Zugversuchs aus diesem Bereich der Probe (Darstellung rechts).

Abb. 7: 12 Mega-Pixel ARGUS FSE-Bild einer polykristallinen Probe mit geringer Vergrößerung; unkorrigiertes Bild auf der linken Seite, Bild auf der rechten Seite nach automatischer Hintergrundsubtraktion durch ESPRIT 2 Software am Ende des Scans. Aufnahmezeit war 3 Minuten.

Abb. 8: ARGUS FSE-Bild einer einkristallinen AlGaN-Schicht, die sich auf einem strukturierten Saphirsubstrat abgeschieden wurde. Die starke Oberflächentopographie verursacht die beobachtete Farbvariation.

Abb. 9: ARGUS FSE-Bild des gleichen Bereichs wie in Abb. 8, aber mit höherem Abnahmewinkel für die vorwärtsgestreuten Elektronen durch angepasste Positionierung der ARGUS-Dioden. Die hier gewählte Geometrie zwischen Probe und Detektor reduziert die Intensität des Topographiekontrasts und ermöglicht die Visualisierung mikrostruktureller Merkmale. In diesem Fall erkennt man eine Wabenstruktur, die durch das Vorhandensein von Restspannung in der einkristallinen Schicht erzeugt wird. Diese Restspannung entsteht durch minimale Fehlpassung der AlGaN-Schicht beim Aufwachsen auf das Wabenförmig strukturierte Saphirsubstrat.

Abb. 10: ARGUS FSE-Bild von gesintertem martensitischem-Stahl, welches große Martensit-Regionen mit kleineren Ferritkörnern dazwischen zeigt.