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Análisis de EDS con resolución atómica

Las propiedades de un semiconductor están determinadas por su estructura en el nivel atómico, por ejemplo, defectos puntuales. Por medio del mapeo de EDS a la mejor resolución posible, se pueden localizar y caracterizar defectos de este tipo.

Este ejemplo analiza datos cedidos por cortesía de M. W. Chu (M. W. Chu et. al., Phys. Rev. Lett. 104, 196101 (2010)). Se investigó una estructura multicapa formada por capas alternas de InGaAs e InAlAs. Usando un tiempo de permanencia de solo 3 ms (13 s de tiempo de medición total) y 33 pA de corriente de haz, fue posible determinar una variación de la composición de In en una columna de átomos de la estructura de InGaAs. La ausencia de In se puede ver a través de la fata de color azul en la esquina inferior derecha del mapa de In. Esta ausencia también es responsable de la baja columna de InGa que se puede apreciar en el perfil de línea de la imagen HAAD.