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EDS-Analyse mit atomarer Auflösung

Die Eigenschaften eines Halbleiters werden durch seine Struktur im atomaren Bereich, z.B. durch Punktdefekte, bestimmt. Unter Verwendung von EDS-Mapping bei höchstmöglicher Auflösung lassen sich solche Defekte lokalisieren und charakterisieren.

Dieses Applikationsbeispiel verwendet Daten die freundlicherweise von M. W. Chu zur Verfügung gestellt und publiziert wurden (M. W. Chu et. al., Phys. Rev. Lett. 104, 196101 (2010)). Untersucht wurde eine Multilayer-Struktur, die aus alternierenden Schichten von InGaAs und InAlAs besteht. Mit einer Verweilzeit von lediglich 3 ms (gesamte Messzeit 13 s) und einem Strahlstrom von 33 pA war es möglich eine Variation in der In-Zusammensetzung einer einzelnen Atomsäule der InGaAs-Struktur nachzuweisen. Die Abwesenheit von In kann am fehlenden blau in der rechten unteren Ecke des Maps des In-Maps erkannt werden. Sie ist auch für die niedrigere InGa-Säule im gezeigten HAAD-Linienprofil verantwortlich.